cf775芯片中文资料

更新时间:02-04 综合 由 旧模样 分享

cf775芯片资料,核心代号Yorkfield,核心数量四核心,线程数四线程,制作工艺45纳米,热设计功耗(TDP)136,内核电压0.85-1.3625V,晶体管数量820百万,核心面积214平方毫米

声明:关于《cf775芯片中文资料》以上内容仅供参考,若您的权利被侵害,请联系13825271@qq.com
本文网址:http://www.25820.com/all/15_1140765.html