指的是CPU上形成的互补氧化物金属半导体场效应晶体管栅极的宽度（也被称为栅长)为4nm。越小的nm表示更先进的制造工艺，更先进的制造工艺可以使CPU与GPU内部集成更多的晶体管，使处理器具有更多的功能以及更高的性能更先进的制造工艺会减少处理器的散热设计功耗（TDP)，从而解决处理器频率提升的障碍。
