irfpg50场效应管参数:
其型号为IRFPG50，类型为N沟道场效应管，耗散功率（PD）为180W，漏极电流（ID）为6.1A，漏极和源极电压（VDSS）为1000V，封装TO-247AC。
场效应晶体管有两种类型（junction FET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。
