三星sec825是 三星EDO DRAM内存芯片。
第三代10nm级工艺即1z nm（在内存制造中，用x/y/z指代际，工艺区间是10~20nm），整合了EUV极紫外光刻技术，单芯片容量8Gb（1GB）。
三星表示，1z nm是业内目前最顶尖的工艺，生产效率较1y nm提升了20%，可以更好地满足日益增长的市场需求。
