电压电流过大或芯片损坏会导致击穿。
场效应管是金属一氧化物一半导体场效应管的简称，通常又叫做“绝缘栅场效应管”，它是一种用电压控制多数载流子导电的器件。它的栅极是从氧化膜引出的，栅极与源极、漏极是绝缘的，绝缘栅场效应管亦因此得名。场效管的栅极与衬底之间隔着一层氧化膜如同电容器结构一样。当栅极与衬底之间的电压超过一定的限度时，就会引起氧化膜的击穿。电压电流过大甚至人体静电都会导致场效应管的击穿，晶体管损坏也能够导致场效应管击穿。
场效应管击穿原因是什么
破坏性击穿并不会出现， 原因:场强没有达到雪崩击穿场强，并不会产生大量电子空穴对
2.
在沟道中间发生 原因:穿通不容易发生在沟道表面，沟道注入使表面浓度大形成，NMOS管场效应管有防穿通注入
3.
发生在沟道中间:鸟嘴边缘浓度>沟道中间浓度
4.
软击穿:击穿过程中，电流渐渐变大 原因:耗尽层扩展较宽，同时发生DIBL效应，源衬底
