不能，场效应管是MOSFET，而IGBT是MOSFET和GTR(大功率晶体管)复合而成的器件.栅极是MOSFET，而C，E极是GTR.IGBT兼具二者的优点:驱动象MOSFET一样容易，开关速度可达几十KHz电流象GTR一样大，可达上千安培.现在IGBT的使用面很广.MOSFET电流做不大的，但开关速度很高，现主要用在中小功率的开关电源上.
