产生费米能级钉扎效应的原因，与材料的本性有关。宽禁带半导体（GaN、SiC等）就是一个典型的例子，这种半导体一般只能制备成n型或p型的半导体，掺杂不能改变其型号（即Fermi能级不能移动），故称为单极性半导体。一般，离子性较强的半导体（如Ⅱ-Ⅵ族半导体，CdS、ZnO、ZnSe、CdSe）就往往是单极性半导体。这主要是由于其中存在大量带电缺陷，使得费米能级被钉扎住所造成的。正因为如此，采用GaN来制作发蓝光的二极管时，先前就遇到了很大的困难，后来通过特殊的退火措施才激活了掺入的施主或受主杂质，获得了pn结——制作出了发蓝色光的二极管。
非晶态半导体也往往存在费米能级钉扎效应。制作出的非晶态半导体多是高阻材料，Fermi能级不能因掺杂而移动，这也是由于其中有大量缺陷的关系。
此外，半导体表面态密度较大时也往往造成费米能级钉扎效应。这在M-S系统和MOS系统中起着重要的作用。
钉扎作用名词解释
是指费米能级不随掺杂等而发生位置变化的效应，费米能级钉扎效应是半导体物理中的一个重要概念。反磁化核在外磁场作用下长大成为反磁化畴，然后通过畴壁位移实现反磁化。
