1）碳化硅衬底的制作流程一般包括【原料合成】、【晶体生长】、【晶锭加工】、【晶棒切割】、【晶片研磨】、【抛光】、【清洗】等环节。其中晶体生长阶段为整个流程的核心，决定了碳化硅衬底的电学性质。晶体生长目前主要有【物理气相传输法（PVT）】、【高温化学气相沉积法（HT-CVD）】和【液相法】三种方法。
2）其中液相法生长晶体因尺寸较小目前仅用于实验室生长，综合生长条件控制、生长效率、缺陷控制等因素，商业化的技术路线主要是PVT和HT-CVD，与HT-CVD法相比，采用PVT法生长的碳化硅单晶所需要的设备简单，操作容易控制，设备价格以及运行成本低等优点成为工业生产所采用的主要方法。
