1、温度过高。普通散热片底部装置有散热风扇，当散热风扇损坏或散热片散热不良时将招致IGBT发热，从而使IGBT损坏。
2、IGBT所承受的电流过高。爲了防止IGBT发作锁定效应而损坏，在电路设计中应保证IGBT的最大任务电流应不超越IGBT的IDM值，由于负载冲击特性各不相同，所以在设计中采取限流措施对IGBT的电流限制也是必需的。
3、超负载电压。避免过电压损坏办法有优化主电路的工艺构造，经过减少大电流回路的途径来减小线路寄生电感设计缓冲电路，对尖峰电压停止抑制。用于缓冲电路中的二极管必需是快恢复二极管，电容必需是高频、损耗小、频率特性好的薄膜电容。这样才干获得好的吸收效果。
