没有其它k11a60d场效应管参数，只有以下答案。
k10a60d场效应管 采用的是高通骁龙778g处理器，这款处理器不但性能强大，并且它也支持5G双模全网通功能，关键是他的号控制的相当优秀。另外它内置了5000毫安电池支持立体声双扬声器支持，后置了6400万的高清摄像头
k11a60d场效应管参数
场效应管k11a60d的参数：
PD最大耗散功率：116W
ID最大漏源电流：13A
V(BR)DSS漏源击穿电压：600V
RDS(ON)Ω内阻：0.26Ω
VRDS(ON)ld通态电流：6.5A
VRDS(ON)栅极电压：10V
VGS(th)V开启电压：2~4V
VGS(th)ld(μA)开启电流：250μA。
