漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.2A 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 4.2A，4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.2W 类型：N沟道 N沟道 20V 4.2A
器件类别：分立半导体 MOS(场效应管)
厂商名称：萨科微(Slkor)
