ld33v的参数
FET类型N沟道漏源电压20(Vdss)漏极电流5(ld)漏源导通电31.8阻(RDSOn)栅源电压8(Vgs)栅极电荷4.8(Qg)反向恢复时10最大耗散功0.35配置类型场效应管工作温度范-55~+150安装类型贴片应用领域家用电器，照明电子，医疗电子，汽车电子，网络通信导电方式耗尽型种类绝缘栅(MOSFET)
