对于钛硅化物而言，最大的挑战在于△s砬的线宽效应，即△s砬电阻会随着线宽或接触面积的减小而增加。EL5411IRZ原因是当线宽变得过窄时，从C49相到C54相的相变过程会由原先的二维模式转变成一维模式，这使得相变的温度和时间将大大增加。而过高的退火温度会使主要的扩散元素si扩散加剧而造成漏电甚至短路的问题。
因此随着MOs尺寸的不断变小，会出现Ⅱsi2相变不充分而使接触电阻增加的现象。钴硅化物(CoSi2)。钴硅化物作为钛硅化物的替代品最先应用于从0.18um到90nm技术节点，其主要原因在于它在该尺寸条件下没有出现线宽效应。另外，钴硅化物形成过程中的退火温度相比于钛硅化物有所降低，有利于工艺热预算的降低。同时由于桥接造成的漏电和短路也得到改善。
