IGBT是BJT和MOSFET技术的结合，在控制端类似与MOSFET，用电压即可控制，在输出端类似于大功率三极管。这样就可以用小的电流（因为是电压控制）来控制输出大电流。它是一种复合器件，其输入控制部分为MOSFET，输出级为双级结型三极晶体管，应该不分PNP和NPN，只分输入是N沟道还是P沟道的。
