瓷片只插件薄膜型陶瓷电容，分类：1、高压陶瓷电容，一般耐压1KV以上的。2、中压陶瓷电容，一般指100-1KV的。3、低压陶瓷电容，一般指100V以下的。至于型号：就和普通电容一样，基本的容值都有。1p-104pf里都有。通常情况下，100uF的贴片陶瓷电容会比同样规格的钽电容还要贵，所以如果需要再大的容值，比如220uF，470uF等等，一般都是直接选用钽电容。一般来说贴片陶瓷电容最大容值是100uF，尺寸有1210,1812等规格。。---------%易%容%网。钽电容寿命长、耐高温、准确度高、滤高频谐波性能极好，即便是同等价格前提下，也是优于贴片陶瓷电容的选择。
陶瓷电容有以下一些材质：Y5P；Y5E；Y5R；Y5T；Y5V； Y5U； Z5U；Z5V；Z4V；X7R；N750；N330；NPO；SL。
陶瓷电容常用的几种：Y5P；Y5V；Y5U；X7R；NPO。
Y5P的温度补偿性能最好，全温度范围内的电容值变化范围为±10%。
Y5U对温度变化无补偿性，全温度范围内的电容值变化范围为+22%/-56%。
Y5V表示工作在-30~+85度，整个温度范围内偏差-82%~+22%
X5R表示工作在-55~+85度，整个温度范围内偏差正负15%
X7R表示工作在-55~+125度，整个温度范围内偏差正负15%
NPO（COG）是温度特性最稳定的电容器，电容温漂很小，整个温度范围容量很稳定，温度也是-55~125度，适用于振荡器，超高频滤波去耦。
陶瓷电容按照封装不同可分为插件和贴片式！按照介质不同可分为I类瓷介电容和II类瓷介电容，通常NP0,SL0,COG是I类瓷介电容，X7R,X5R,Y5U,Y5V是II类瓷介电容，I类瓷介电容容量稳定性很好，基本不随温度，电压，时间等变化而变化，但是一般容量都很小，而II类瓷介电容容量稳定性很差，随着温度，电压，时间变化幅度较大，所以一般用在对容量稳定性要求不高的场合，如滤波等！
陶瓷电容器又分为高频瓷介电容器和低频瓷介电容器两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡电路中，作为回路电容器。低频瓷介电容器用在对稳定性和损耗要求不高的 场合或工作频率较低的回路中起旁路或隔直流作用，它易被脉冲电压击穿，故不能使用在脉冲电路中。高频瓷介电容器适用于高频电路。多层陶瓷电容器常见小缺陷的规避方法因其小尺寸、低等效串联电阻(ESR)、低成本、高可靠性和高纹波电流能力，多层陶瓷 (MLC) 电容器在电源电子产品中变得极为普遍。一般而言，它们用在电解质电容器 leiu 中，以增强系统性能。相比使用电解电容器铝氧化绝缘材料时相对介电常数为 10 的电解质，MLC 电容器拥有高相对介电常数材料 (2000-3000) 的优势。这一差异很重要，因为电容直接与介电常数相关。在电解质的正端，设置板间隔的氧化铝厚度小于陶瓷材料，从而带来更高的电容密度。温度和DC偏压变化时，陶瓷电容器介电常数不稳定，因此我们需要在设计过程中理解它的这种特性。高介电常数陶瓷电容器被划分为 2 类。图 1 显示了如何以 3 位数描述方法来对其分类，诸如：Z5U、X5R 和 X7R 等。例如，Z5U 电容器额定温度值范围为 +10 到 +85o C，其变化范围为 +22/–56%。再稳定的电介质也存在一定的温度电容变化范围。图 1 ：2类电介质使用 3 位数进行分类。注意观察其容差!当我们研究偏压电容依赖度时，情况变得更加糟糕。图 2 显示了一个 22 uF、6.3伏、X5S 电容器的偏压依赖度。我们常常会把它用作一个 3.3 伏负载点 (POL) 稳压器的输出电容器。3.3 伏时电容降低 25%，导致输出纹波增加，从而对控制环路带宽产生巨大影响。如果您曾经在 5 伏输出时使用这种电容器，则在温度和偏压之间，电容降低达 60% 之多，并且由于 2：1 环路带宽增加，可能产生一个不稳定的电源。许多陶瓷电容器厂商都没有详细说明这一问题。图 2：注意电容所施加偏压变化而降低陶瓷电容器的第二个潜在缺陷是，它们具有相对较小的电容和低ESR。在频域和时域中，这会带来一些问题。如果它们被用作某个电源的输入滤波电容器，则它们很容易随输入互连电感谐振，形成一个振荡器。要想知道是否存在潜在问题，可将寄生互连电感估算为每英寸 15 nH，然后根据这两篇文章介绍的方法把滤波输出阻抗与电源输入电阻进行对比。第二个潜在问题存在于时域中，我们可在以太网电源 (POE) 等系统中看到它们的踪影。在这些系统中，电源通过大互连电感连接至负载。负载通过一个开关实现开启，并可能会使用陶瓷电容器构建旁路。这种旁路电容器和互连电感可以形成一个高 Q谐振电路。由于负载电压振铃可以高达电源电压的两倍，因此在负载下关闭开关会形成一个过电压状态。这会引起意外电路故障。例如，在 POE 中，负载组件的额定电压变化可以高达电源额定电压的两倍。第三个潜在缺陷的原因是陶瓷电容器为压电式。也就是说，当电容器电压变化时，其物理尺寸改变，从而产生可听见的噪声。例如，我们将这种电容器用作输出滤波电容器时(存在大负载瞬态电流)，或者在“绿色”电源中，其在轻负载状态下进入突发模式。这种问题的变通解决方案如下：· 转而使用更低介电常数的陶瓷材料，例如：COG 等。· 使用不同的电介质，例如：薄膜等。· 使用加铅和表面贴装技术 (SMT) 组件，可紧密贴合印制线路板 (PWB)。· 使用更小体积器件，降低电路板应力。· 使用更厚组件，降低施加电压应力和物理变形。SMT陶瓷电容器存在的另一个问题是，在PWB弯曲时，由于电容器和 PWB 之间存在的热膨胀系数 (TCE) 错配，它们的软焊接头往往会裂开。您可以采取一些预防措施来减少这种问题的发生：· 封装尺寸限制为 1210。· 使电容器远离高曲率地区，例如：拐角区等。· 使电容器朝向电路板短方向。· 使电路板安装点远离边角。· 在所有装配过程均注意可能出现的电路板弯曲。总之，如果您注意其存在的一些小缺点，则相比电解电容器，多层陶瓷电容器拥有低成本、高可靠性、长寿命和小尺寸等优势。它们具有非常宽的电容容差范围，因此您需要对其温度和偏压变化范围内的性能进行评估。它们均为压电式，其意味着它们会在有脉冲电流的系统中产生可听见的噪声。最后，它们很容易出现破裂，因此我们必须采取预防措施来减少这一问题的发生。所有这些问题都有相应的解决办法。因此，MLC 电容器仍会变得越来越受欢迎。
Ⅰ类陶瓷电容器根据美国标准EIA-198-D，在用字母或数字表示陶瓷电容器的温度性质有三部分：一部分为（例如字母C）温度系数α的有效数字；第二位部分有效数字的倍乘（如0即为100）；第三部分为随温度变化的容差（以ppm/℃表示）例如，C0G（有时也称为NP0）表示为：前面的字母C为温度系数的有效数字为0，第二位数字0为有效温度系数的倍乘为100=1，第三位字母G为随温度变化的容差为±30ppm/℃，即0±30ppm/℃，Ⅰ类陶瓷电容器的电容量几乎不随温度变化陶瓷电容器从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类陶瓷电容器和Ⅱ类陶瓷电容器，具体是怎么样的呢？有哪些特点？适用于哪些范围呢？1、Ⅰ类陶瓷电容器：过去称高频陶瓷电容器，是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容器，特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，片状陶瓷电容，或用于温度补偿；2、Ⅱ类陶瓷电容器：过去称为为低频陶瓷电容器，指用铁电陶瓷作介质的电容器，因此也称铁电陶瓷电容器，图片状陶瓷电容，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中
陶瓷电容按照封装不同可分为插件和贴片式！按照介质不同可分为I类瓷介电容和II类瓷介电容，通常NP0,SL0,COG是I类瓷介电容，X7R,X5R,Y5U,Y5V是II类瓷介电容， I类瓷介电容容量稳定性很好，基本不随温度，电压，时间等变化而变化，但是一般容量都很小，而II类瓷介电容容量稳定性很差，随着温度，电压，时间变化幅度较大，所以一般用在对容量稳定性要求不高的场合，如滤波等！Important parameter：1. Capacitance2. Rated voltage3. Tolerance4. SizeC = (εoεr A) / dεo is the permittivity of free spaceεr is the relative dielectric constantA is the area of a plated is the separation between the plates.
