3年内中国能不能搞出EUV光刻机？
很多人关心EUV光刻机，但28nmDUV光刻机能否如期交付，还悬着呢！如果28nm光刻机走不出实验室，将对EUⅤ光刻机的研制造成致命打击。
去年报道:2021年底，上海微电子将交付28nmDUV光刻机，万事俱备，只欠量产。过了半年多，仍不见结果。为什么优先研发DUⅤ？为什么会令网友望眼欲穿？
DUV光刻机的研发是优先选项优先研发DUⅤ，主要是因为DUⅤ光刻机更有现实意义，这是一场输不起的战争。
1.市场需求
28nmDUⅤ光刻机，可以满足7nm以上的芯片工艺。而7nm以上工艺的芯片，占到芯片总需求的90%以上。目前，5nm芯片主要是5G手机采用。
服务器、无人驾驶、大数据、wⅰfⅰ、汽车家电、电脑等，用14nm 甚至 22nm 工艺的功耗和成本要更合算。
所以，PC巨头英特尔(ⅰntel)已经止步于10nm，依然可以活得很好。台积电7nm及以上工艺，在2020年占营收的80%以上。中芯14nm工艺，只贡献了<4%的营收。
华为需要的5nm以上芯片更多，包括手机基带芯片等。
所以，28nmDUⅤ光刻机对于芯片制造极其重要。
2.行业现状
光刻机已成为我国半导体产业的最大瓶颈。
中芯国际的7nm以上工艺已经成熟，但受限于光刻机，产能提升困难，超负荷运转。
DUV价格不菲，晶瑞从韩国弄了台二手货，花了人民币7000多万元，新机约要花6亿元人民币。ASML向中国市场已经供应700台以上的DUⅤ光刻机，我国付出了巨额成本，但700台DUV显然只是杯水车薪。
由于用到美国技术，还要被卡脖子。2019年，中芯曾为华为代工麒麟710A14nmFⅰnFET芯片。但2020年9月15日后，不得不宣布放弃，成为我国半导体产业的耻辱。因为DUⅤ光刻机和光刻材料也用了美国的技术。
3.产业目标
国务院《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》的报告，明确提出，到2020年要实现芯片自给率40%，而到2025年，要实现芯片自给率70%。
2020年进口芯片总金额，超过3500亿美元，占到全球半导体销售额的79.7%。2020年我国芯片自给率显然不高，IC Insights统计约为5.9％。数据存疑，但自给率低是事实。
实现既定目标的压力很大。而28nmDUⅤ光刻机的如期交付，对于芯片自给率2025年70%的目标具有关键作用。
光刻机的制造比研发更困难我国光刻机不是第一次研发成功了。2018年10月，中科院研发的22nm光刻机通过验收。此后，一直没有下文。
2020年6月，上海微电子(SMEE)的28nm光刻机同样研发成功。并被曝出2021年第四季度，将交付28nm光刻机。实际上，能不能如期交付，现在仍然是未知数。
中科院22nm光刻机不能生产，上微28nm光刻机需要等待，原因是一致的。
研发成功不等于能量产，也不等于可以商用。中科院22nm光刻机，采用表面等离子光刻技术，不适合芯片制造，所以一直躺在实验室里，无法生产。比如马自达的转子发动机的缺陷至今难以解决，如今的世界还是往复式发动机的天下。
光刻机的研制，需要经历论证一一研发一一小量试产一一大量生产一一商用等阶段。研发成功，只是万里长征走完了第一步。
研发是否实用，生产是否成功，都需要组织者有丰富的行业经验和强大的领导力。
光刻机搞了这么久，还没见到真神，网友已经有了焦虑情绪。网友呼吁华为副帅徐直军，出任上海微电子掌门人，也不无道理。但到SMEE挖人，将影响光刻机的研发，对华为没有好处。
上海微电子28nm的DUV光刻机承担光刻机研发重任的单位是:上海微电子与中国电科在突破DUV光刻机，长春光机所是EUV光刻机。目前来看，上海微电子的28nmDUⅤ光刻机率先成功的可能性最大。
1.光刻机研制经验积淀深厚
成立于2002年，6年前就已承担了国家科技重大专项研究(十一五的重点项目01项，十三五的重点项目02，专攻光刻机研制)。截止 2020 年 5 月，持有的专利和专利申请数量超过 3632 件。2018年3月，90nm光刻机项目通过正式验收，已经占领了国内市场。2020年6月，28nm光刻机研发成功。
从上面可以看出，28nm光刻机属于高端光刻机，其采用的浸入式光刻技术，ArF光源均是国际主流技术，SMEE均已掌握。适用于7~28nm的芯片制造，应用范围极其广泛。
该光刻机如量产成功，以我们的制造业实力，再建10个中芯国际也不是做不到。
2.半导体产业链已经成熟
28nm的光刻机远不止28nm这么简单。对于中国的半导体产业是重大利好。研发成功，就已经证明了我国已经具备了28nm光刻机匹配的半导体产业链。前道光刻机的十几个子系统，几十项关核心技术，包括镜头组、光学模组、传送带等基本技术，都已经研发成功，为EUⅤ光刻机的最终成功奠定了坚实的基础。
如果28nmDUⅤ失败，则证明光刻机研发的基本技术不可靠，如软件、控制系统、物镜、传输系统等。那么，EUⅤ的研制必将延宕，甚至遥遥无期。EUV13.5nm的光源难有用武之地。
3.EUⅤ关键技术的突破有待验证
EUV 光刻机技术要求太高，可以说逼近物理学、材料学和精密制造的极限。网传华为造EUⅤ光刻机，并不靠谱，能帮上忙就不错了。EUV光刻机的研制，不可能有一夜成功的神话。
EUⅤ光刻机的上游企业，已经实现了从原材料到关键部件的一系列重大技术突破：
特别是双工作台、物镜、光源是三大核心子系统的研发成功，具有重大意义。
我国企业赛微电子，为ASML提供透镜系统MEMS部件；华特气体也是ASML的供应商。均是EUⅤ开发的有利条件。
极紫外光刻机的研发难度很大。但关键技术上的突破，增强了我们的信心。
对EUⅤ的研制难度，要有充分的思想准备。
有人说，我国光刻机与ASMl有20年的差距。这种说法并不准确。学生时代，面对同一道数学题，高手10分钟搞定，有的人十年也憋不出来。我们的90nm光刻机已经商用3年了，与EUⅤ的差距是两代。追赶两代的差距，可能需要20年，也可能不用3年，就看研发进度了。好比芯片制程，从28nm到7nm，台积电用了10年，梁孟松在中芯国际3年就完成了。
经过四次曝光，28nm光刻机可以制造7nm芯片。梁孟松主导研发的n+1工艺已经做到了。28nm光刻机仍是主流设备，可以满足90%的终端设备芯片的制造。
(上图为汽车芯片，28nm工艺)
ASML成立于1984年，2004年制造出首台浸润式光刻机，2015年量产EUV光刻机。
当前，我们有理由确信一年之内，28nm的DUⅤ光刻机将交付商用。这是中国之幸！是中国高端光刻机研发的开端。
EUV光刻机的成功不是时间问题，而是技术问题。假如光刻机领域的梁孟松加盟，假如上海微电子的领导能力不逊于徐直军，成功就在明年。
让我们一起祝福中国芯，祝福国产光刻机。
中国芯，加油！
